青島康景輝節(jié)能環(huán)?？萍加邢薰?殷先生15376765669

DTB  結(jié)晶器- 改進(jìn)型 ：

DTB 結(jié)晶器是一種晶漿內(nèi)循環(huán)結(jié)晶器。它的典型特點(diǎn)是結(jié)晶器內(nèi)部有攪拌器、導(dǎo)流筒和擋板，以及配套的換熱裝置、細(xì)晶消除裝置。

晶漿料液通過(guò)內(nèi)置的攪拌器從內(nèi)導(dǎo)流筒的底部上升，至液面處與過(guò)飽和度***大的區(qū)域接觸，消耗掉過(guò)飽和度。又沿著內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒之間的環(huán)形局域下降，在結(jié)晶器筒體和外導(dǎo)流筒之間的環(huán)隙處，晶漿液和澄清液分離，晶漿液繼續(xù)向下循環(huán)。澄清液從外環(huán)隙進(jìn)入細(xì)晶消除裝置溶解掉過(guò)量的細(xì)小晶核，這保證了晶核不會(huì)過(guò)量，使得晶體的粒度分布較均勻。

在蒸發(fā)結(jié)晶過(guò)程中,過(guò)飽和度的產(chǎn)生速率取決于蒸發(fā)速率,即設(shè)備的蒸發(fā)強(qiáng)度。蒸發(fā)強(qiáng)度愈大,其產(chǎn)生過(guò)飽和度的速度愈快,越易形成過(guò)高的過(guò)飽和度。而過(guò)飽和度的消除主要依賴(lài)于晶體的自發(fā)成核和晶體的成長(zhǎng)過(guò)程。如果在結(jié)晶器內(nèi),具有足夠的晶體表面和較快的成長(zhǎng)速率,由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過(guò)飽和度,能全部成長(zhǎng)在晶體表面上,溶液的過(guò)飽和度不會(huì)因?yàn)槌^(guò)溶液的***大過(guò)飽和度而使溶質(zhì)以成核過(guò)程來(lái)消除過(guò)飽和度,從而不會(huì)產(chǎn)生大量的晶核。

如果溶液中晶體表面不足,晶體的生長(zhǎng)不足以消除由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過(guò)飽和度,使得溶液的過(guò)飽和度過(guò)高,而處于不穩(wěn)定區(qū)域,溶液的過(guò)飽和度將以自發(fā)成核過(guò)程來(lái)消耗過(guò)飽和度,從而形成大量的細(xì)小顆粒。因而需要對(duì)蒸發(fā)結(jié)晶過(guò)程中的蒸發(fā)強(qiáng)度進(jìn)行控制，使結(jié)晶體系的過(guò)飽和度始終處于結(jié)晶介穩(wěn)區(qū)之內(nèi)，從而保證所設(shè)計(jì)的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備能生產(chǎn)出符合設(shè)計(jì)任務(wù)要求的產(chǎn)品。

晶體在生長(zhǎng)區(qū)的停留時(shí)間越長(zhǎng),晶體生長(zhǎng)的時(shí)間越長(zhǎng),晶體粒度越大。大粒度晶體的生成必須有足夠的生長(zhǎng)時(shí)間。我們將在準(zhǔn)確的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,根據(jù)晶體生長(zhǎng)速率和設(shè)計(jì)任務(wù)中所要求的粒度設(shè)計(jì)成合適的 DTB 結(jié)晶器。

在原有 DTB 結(jié)晶器的基礎(chǔ)上，康景輝對(duì)該結(jié)晶器做了大量改進(jìn)，使得其更加符合實(shí)際生產(chǎn)的工況。

操作方法：有連續(xù)結(jié)晶、間歇結(jié)晶

結(jié)晶方法：水冷卻結(jié)晶、蒸發(fā)結(jié)晶、冷凍結(jié)晶、真空結(jié)晶

設(shè)計(jì)方法：GESMDP

OSLO  結(jié)晶器- 改進(jìn)型：

OSLO 結(jié)晶器是一種具有粒度分級(jí)的流化床結(jié)晶器。它的典型特點(diǎn)是過(guò)飽和料液沿著結(jié)晶器中間的降液管直沖器底，然后轉(zhuǎn)向上升，上升的過(guò)程中過(guò)飽和料液穿過(guò)流化床，與懸浮的晶核充分接觸，使得晶核得以生長(zhǎng)，過(guò)飽和度得以消除。OSLO 結(jié)晶器能夠生產(chǎn)粒度較大的晶體。

在蒸發(fā)結(jié)晶過(guò)程中,過(guò)飽和度的產(chǎn)生速率取決于蒸發(fā)速率,即設(shè)備的蒸發(fā)強(qiáng)度。蒸發(fā)強(qiáng)度愈大,其產(chǎn)生過(guò)飽和度的速度愈快,越易形成過(guò)高的過(guò)飽和度。而過(guò)飽和度的消除主要依賴(lài)于晶體的自發(fā)成核和晶體的成長(zhǎng)過(guò)程。如果在結(jié)晶器內(nèi),有足夠的晶體表面和較快的成長(zhǎng)速率,由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過(guò)飽和度,能全部成長(zhǎng)在晶體表面上,溶液的過(guò)飽和度不會(huì)因?yàn)槌^(guò)溶液的***大過(guò)飽和度而使溶質(zhì)以成核過(guò)程來(lái)消除過(guò)飽和度,從而不會(huì)產(chǎn)生大量的晶核。

如果溶液中晶體表面不足,晶體的生長(zhǎng)不足以消除由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過(guò)飽和度,使得溶液的過(guò)飽和度過(guò)高,而處于不穩(wěn)定區(qū)域,溶液的過(guò)飽和度將以自發(fā)成核過(guò)程來(lái)消耗過(guò)飽和度,從而形成大量的細(xì)小顆粒。因而需要對(duì)蒸發(fā)結(jié)晶過(guò)程中的蒸發(fā)強(qiáng)度進(jìn)行控制，使結(jié)晶體系的過(guò)飽和度始終處于結(jié)晶介穩(wěn)區(qū)之內(nèi)，從而保證所設(shè)計(jì)的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備能生產(chǎn)出符合設(shè)計(jì)任務(wù)要求的產(chǎn)品。

晶體在生長(zhǎng)區(qū)的停留時(shí)間越長(zhǎng),晶體生長(zhǎng)的時(shí)間越長(zhǎng),晶體粒度越大。大粒度晶體的生成必須有足夠的生長(zhǎng)時(shí)間。我們將在準(zhǔn)確的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,根據(jù)晶體生長(zhǎng)速率和設(shè)計(jì)任務(wù)中所要求的粒度設(shè)計(jì)成合適的 OSLO 結(jié)晶器。

在原有 OSLO 的基礎(chǔ)上，康景輝對(duì)該結(jié)晶器做了大量改進(jìn)，使得其更加符合實(shí)際生產(chǎn)的工況。

操作方法：有連續(xù)結(jié)晶、間歇結(jié)晶

結(jié)晶方法：水冷卻結(jié)晶、蒸發(fā)結(jié)晶、冷凍結(jié)晶、真空結(jié)晶

設(shè)計(jì)方法：GESMDP

FC  結(jié)晶器：

FC 結(jié)晶器又叫強(qiáng)制循環(huán)結(jié)晶器，也叫成長(zhǎng)型結(jié)晶器。這種結(jié)晶器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容易操作的特點(diǎn)。晶體生長(zhǎng)的區(qū)域在結(jié)晶分離器的下端。結(jié)晶器底部一般會(huì)配置晶體淘洗器。結(jié)晶器再設(shè)計(jì)的時(shí)候要選擇合適的循環(huán)進(jìn)料方式避免晶體破碎或磨損器壁、要考慮循環(huán)料液的防短路措施、晶體的足夠生長(zhǎng)空間。FC 結(jié)晶器可以搭配 MVR 技術(shù)組成 MVR 強(qiáng)制循環(huán)蒸發(fā)結(jié)晶器，具有優(yōu)越的節(jié)能效果，對(duì)生產(chǎn)環(huán)境降低生產(chǎn)成本具有很好的利用價(jià)值。

這種結(jié)晶器一般用于對(duì)晶體粒度要求不高，或者是晶體容易生長(zhǎng)的的場(chǎng)合。

例如氯化鈉、氯化銨、硫酸鈉、硫酸銨等的蒸發(fā)結(jié)晶。

結(jié)晶方法：水冷卻結(jié)晶、蒸發(fā)結(jié)晶、冷凍結(jié)晶、真空結(jié)晶